RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
48
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
43
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2776
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link