RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2989
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link