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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
25
读取速度,GB/s
8.9
16.8
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2989
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2606U2S 8GB
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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