RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2191
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link