RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2931
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link