RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2931
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link