RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3039
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link