RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3039
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link