RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
48
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
43
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
12.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2501
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link