Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 48

Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 25
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 14.3
Скорость записи, Гб/сек

5.9 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

Kingston 9905702-150.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

модули RAM