RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
78
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
78
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
12.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2113
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link