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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
78
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
78
读取速度,GB/s
8.9
12.1
写入速度,GB/s
5.9
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2113
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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