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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.9
11.2
写入速度,GB/s
8.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2284
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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