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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
13.8
14.8
写入速度,GB/s
7.8
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2340
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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