RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
48
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link