RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link