RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
48
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link