Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 48

Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 23
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 16.9
Скорость записи, Гб/сек

5.9 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2943

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB

модули RAM

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

модули RAM