RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
48
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2943
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link