RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2648
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link