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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
28
Velocità di lettura, GB/s
8.9
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2648
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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