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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2711
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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