RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3121
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link