RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3121
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link