RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3121
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link