Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 47

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.8 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.0 5.9

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

47 43
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 11.8
Скорость записи, Гб/сек

5.9 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 1889

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB

Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM