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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
47
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
43
Velocità di lettura, GB/s
9.3
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1889
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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