RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3559
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link