RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3428
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link