RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
47
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
19.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3359
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link