RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3519
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link