RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
9.3
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3519
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link