RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Kingston 9965600-011.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
47
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
46
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
10.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2239
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link