RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2565
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link