RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2565
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link