RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2601
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link