RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2982
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link