Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 41

Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.6 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.1 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 15.6
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2016 2949

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM