Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.0 6.6

Среднее значение в тестах

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 41

Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 13.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 33
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 17.0
Скорость записи, Гб/сек

9.0 6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2016 2598

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM