RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
41
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2213
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link