RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3729
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link