RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
55
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2293
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link