RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3170
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link