Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 40

Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.9 12.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.8 8.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 12800

Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1789 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns