RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
40
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3708
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link