RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3403
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link