RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2734
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link