RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3090
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link