RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3037
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link