RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2711
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link