Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.4 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.8 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 40
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 13.4
Скорость записи, Гб/сек

8.9 10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2495

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

модули RAM

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM