RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
46
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2632
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link