RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
25
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3397
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link